STGW80V60DF / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT, SINGLE, 600V, 120A, TO-247-3
Корпус TO247 , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 120 А, Напряжение насыщения К-Э 2.3 В, Время включения 60 нс, Время выключения 220 нс, Время восстановления диода 60 нс, Максимальная мощность 469 Вт, Заряд затвора 448 нКл, Тип входа стандартный , Тип Trench Field Stop , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C120 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.3 В
-
Время включения60 нс
-
Время выключения220 нс
-
Время восстановления диода60 нс
-
Максимальная мощность469 Вт
-
Заряд затвора448 нКл
-
Тип входастандартный
-
ТипTrench Field Stop
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel