STGWA40M120DF3 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 80A, TO-247-3
Корпус TO247 , Напряжение К-Э максимальное 1200 , Ток коллектора максимальный при 25°C 80 А, Напряжение насыщения К-Э 2.3 В, Время включения 35 нс, Время выключения 140 нс, Время восстановления диода 355 нс, Максимальная мощность 468 Вт, Заряд затвора 125 нКл, Тип входа стандартный , Тип Trench Field Stop , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Напряжение К-Э максимальное1200
-
Ток коллектора максимальный при 25°C80 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.3 В
-
Время включения35 нс
-
Время выключения140 нс
-
Время восстановления диода355 нс
-
Максимальная мощность468 Вт
-
Заряд затвора125 нКл
-
Тип входастандартный
-
ТипTrench Field Stop
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel