STI13005-1 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 30 Вт, Напряжение КЭ максимальное 400 В, Ток коллектора 3 А, Коэффициент усиления по току, min 8 , Примечание Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность30 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное400 В
-
Ток коллектора3 А
-
Коэффициент усиления по току, min8
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin