STP100N8F6 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 80 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 100 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 100 нКл, Рассеиваемая мощность 176 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 5 955 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток80 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса100 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)9 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора100 нКл
-
Рассеиваемая мощность176 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора5 955 пФ