STP10NK70ZFP / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Uси: 700 В; Iс(25°C): 8.6 А; Rси(вкл): 0.85 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 64 нКл
Корпус TO220FP , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 700 В, Ток стока номинальный при 25°C 8.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 850 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 850 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 850 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 90 нКл, Рассеиваемая мощность 35 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 700V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 2 000 пФ
Характеристики
-
КорпусTO220FP
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток700 В
-
Ток стока номинальный при 25°C8.6 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)850 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min850 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max850 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора90 нКл
-
Рассеиваемая мощность35 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 700V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора2 000 пФ