STP110N10F7 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
N-Ch 100V 110A 150W 0,007R TO220
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 110 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 7 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 7 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 60 нКл, Рассеиваемая мощность 150 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 5 500 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса110 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)7 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min7 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max7 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора60 нКл
-
Рассеиваемая мощность150 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора5 500 пФ