STP13NK60Z / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 13 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 66 нКл
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 550 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 550 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 550 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 92 нКл, Рассеиваемая мощность 150 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 2 030 пФ
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса13 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)550 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min550 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max550 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора92 нКл
-
Рассеиваемая мощность150 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора2 030 пФ