STP14NK50Z / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 14 А; Rси(вкл): 0.38 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C 14 А, Сопротивление открытого канала (мин) 380 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 380 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 380 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 92 нКл, Рассеиваемая мощность 150 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 2 000 пФ
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток500 В
-
Ток стока номинальный при 25°C14 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)380 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min380 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max380 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора92 нКл
-
Рассеиваемая мощность150 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора2 000 пФ