STP200NF04 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 40 В; Iс(25°C): 120 А; Rси(вкл): 3.7 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 170 нКл
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.7 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 3.7 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 3.7 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 210 нКл, Рассеиваемая мощность 310 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 5 100 пФ
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток40 В
-
Ток стока номинальный при 25°C120 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)3.7 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min3.7 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max3.7 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора210 нКл
-
Рассеиваемая мощность310 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора5 100 пФ