STP20NK50Z / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 20 А; Rси(вкл): 0.27 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 95 нКл
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 270 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 270 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 270 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 119 нКл, Рассеиваемая мощность 190 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 2 600 пФ
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток500 В
-
Ток стока номинальный при 25°C17 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)270 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min270 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max270 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора119 нКл
-
Рассеиваемая мощность190 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора2 600 пФ