STP20NM50 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 20 А; Rси(вкл): 0.25 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 40 нКл
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 250 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 250 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 250 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 56 нКл, Рассеиваемая мощность 192 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 1 480 пФ
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток500 В
-
Ток стока номинальный при 25°C20 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)250 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min250 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max250 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора56 нКл
-
Рассеиваемая мощность192 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора1 480 пФ