STP36NF06L / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 30 А; Rси(вкл): 40 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 12 нКл
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 30 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 40 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 50 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 18 В, Заряд затвора 17 нКл, Рассеиваемая мощность 70 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 660 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C30 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)40 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min40 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max50 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора18 В
-
Заряд затвора17 нКл
-
Рассеиваемая мощность70 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора660 пФ