STP4NA40 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO220 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 400 В, Ток стока номинальный при 25°C 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.7 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 1.7 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1.7 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 20 нКл, Рассеиваемая мощность 80 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 400V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток400 В
-
Ток стока номинальный при 25°C4 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)1.7 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min1.7 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max1.7 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора20 нКл
-
Рассеиваемая мощность80 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 4A I(D), 400V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB