STP5N95K3 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 950 В; Iс(25°C): 3.5 А; Rси(вкл): 3 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 13 нКл
Корпус TO220 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 950 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 3 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 3 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 19 нКл, Рассеиваемая мощность 90 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 950V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 460 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток950 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса4 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)3.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min3 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max3 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора19 нКл
-
Рассеиваемая мощность90 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 4A I(D), 950V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора460 пФ