STP5NK80ZFP / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, TO-220FP
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 800V
Current, Id Cont 4.3A
Resistance, Rds On 2.4ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 3.75V
Case Style TO-220FP
Termination Type Through Hole
Current, Idm Pulse 17.2A
No. of Pins 3
Power, Pd 30W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 2.4ohm
Voltage, Rds Measurement 10V
Voltage, Vds Max 800V
Корпус TO220FP , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.4 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 2.4 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 2.4 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 45.5 нКл, Рассеиваемая мощность 30 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 800V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 910 пФ
Характеристики
-
КорпусTO220FP
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток800 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса4.3 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)2.4 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min2.4 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max2.4 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора45.5 нКл
-
Рассеиваемая мощность30 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 800V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора910 пФ