STP6NK60ZFP / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, TO-220FP
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 600V
Current, Id Cont 6A
Resistance, Rds On 1.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 3.75V
Case Style TO-220FP
Termination Type Through Hole
Current, Idm Pulse 24A
No. of Pins 3
Power Dissipation 32W
Power, Pd 32W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 1.2ohm
Voltage, Rds Measurement 10V
Voltage, Vds Max 600V
Корпус TO220FP , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.2 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 1 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 46 нКл, Рассеиваемая мощность 30 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 905 пФ
Характеристики
-
КорпусTO220FP
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса6 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)1.2 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min1 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max1 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора46 нКл
-
Рассеиваемая мощность30 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора905 пФ