STP6NK90ZFP / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, TO-220FP
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 900V
Current, Id Cont 5.8A
Resistance, Rds On 2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 3.75V
Case Style TO-220FP
Termination Type Through Hole
Avalanche Single Pulse Energy Eas 300mJ
Current Iar 5.8A
Current, Idm Pulse 23.2A
Power Dissipation 30W
Power, Pd 30W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 2ohm
Typ Capacitance Ciss 1350pF
Voltage, Rds Measurement 10V
Voltage, Vds 900V
Voltage, Vds Max 900V
Voltage, Vgs Max 30V
Voltage, Vgs th Max 4.5V
Voltage, Vgs th Min 3V
Корпус TO220FP , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 900 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 2 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 2 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 60.5 нКл, Рассеиваемая мощность 30 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 1 350 пФ
Характеристики
-
КорпусTO220FP
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток900 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса5.8 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)2 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min2 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max2 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора60.5 нКл
-
Рассеиваемая мощность30 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора1 350 пФ