STP7NK40Z / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 400 В; Iс(25°C): 5.4 А; Rси(вкл): 1 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 400 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 1 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 26 нКл, Рассеиваемая мощность 70 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 535 пФ
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток400 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса5.4 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)1 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min1 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max1 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора26 нКл
-
Рассеиваемая мощность70 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора535 пФ