STP80N70F4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
транз: N-MOSFET 70V 85A <0,0098Om
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 68 В, Ток стока номинальный при 25°C 85 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9.8 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 9.8 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 9.8 мОм, Рассеиваемая мощность 150 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 68V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток68 В
-
Ток стока номинальный при 25°C85 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)9.8 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min9.8 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max9.8 мОм
-
Рассеиваемая мощность150 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 85A I(D), 68V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB