STP80NF12 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 120 В; Iс(25°C): 80 А; Rси(вкл): 18 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 140 нКл
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 120 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 18 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 18 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 18 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 189 нКл, Рассеиваемая мощность 300 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 120V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 4 300 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток120 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса80 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)18 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min18 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max18 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора189 нКл
-
Рассеиваемая мощность300 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 80A I(D), 120V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора4 300 пФ