STP80NF55L-06 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 55 В; Iс(25°C): 100 А; Rси(вкл): 6 мОм; @Uзатв(ном): 10 В
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 6.5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 6.5 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 6.5 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 16 В, Заряд затвора 136 нКл, Рассеиваемая мощность 300 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB , Ёмкость затвора 4 850 пФ
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток55 В
-
Ток стока номинальный при 25°C80 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)6.5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min6.5 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max6.5 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора16 В
-
Заряд затвора136 нКл
-
Рассеиваемая мощность300 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
-
Ёмкость затвора4 850 пФ