STW34NM60N / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 29 А; Rси(вкл): 0.097...0.11 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 25 В
Корпус TO247 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 29 А, Сопротивление открытого канала (мин) 105 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 105 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 105 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 25 В, Заряд затвора 80 нКл, Рассеиваемая мощность 250 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 , Ёмкость затвора 2 722 пФ
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса29 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)105 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min105 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max105 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора25 В
-
Заряд затвора80 нКл
-
Рассеиваемая мощность250 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
-
Ёмкость затвора2 722 пФ