STW35N65M5 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 27 А; Rси(вкл): 98 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Pрасс: 160 Вт
Корпус TO247 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 27 А, Сопротивление открытого канала (мин) 98 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 98 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 98 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 83 нКл, Рассеиваемая мощность 160 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 650V, 0.098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 , Ёмкость затвора 3 750 пФ
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток650 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса27 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)98 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min98 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max98 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора83 нКл
-
Рассеиваемая мощность160 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 27A I(D), 650V, 0.098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
-
Ёмкость затвора3 750 пФ