STW45NM60 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, TO-247; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:600V; Current, Id Cont:45A; Resistance, Rds On:0.11ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-247; Termination Type:Through Hole; Case Style, Alternate:SOT-249; Charge, Gate N-channel:134nC; Current, Idm Pulse:180A; Pins, No. of:3; Power, Pd:417W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.11ohm; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Rds Measurement:10V; Voltage, Vds:650V; Voltage, Vds Max:650V; Voltage, Vgs Rds N Channel:10V; Voltage, Vgs th Min:3V
Корпус TO247 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 45 А, Сопротивление открытого канала (мин) 110 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 110 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 110 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 134 нКл, Рассеиваемая мощность 417 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC , Ёмкость затвора 3 800 пФ
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток650 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса45 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)110 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min110 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max110 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора134 нКл
-
Рассеиваемая мощность417 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 45A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
-
Ёмкость затвора3 800 пФ