STW48NM60N / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 39 А; Rси(вкл): 55...70 мОм; @Uзатв(ном): 8...10 В; Uзатв(макс): 25 В
Корпус TO247 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 44 А, Сопротивление открытого канала (мин) 70 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 70 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 70 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 25 В, Заряд затвора 124 нКл, Рассеиваемая мощность 330 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 , Ёмкость затвора 4 285 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса44 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)70 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min70 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max70 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора25 В
-
Заряд затвора124 нКл
-
Рассеиваемая мощность330 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 39A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
-
Ёмкость затвора4 285 пФ