STW55NM50N / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Iс(25°C): 54 А; Rси(вкл): 54 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 180 нКл; Pрасс: 350 Вт
Корпус TO247 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 54 А, Сопротивление открытого канала (мин) 54 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 54 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 54 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 180 нКл, Рассеиваемая мощность 350 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 500V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC , Ёмкость затвора 5 800 пФ
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток500 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса54 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)54 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min54 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max54 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора180 нКл
-
Рассеиваемая мощность350 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 54A I(D), 500V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
-
Ёмкость затвора5 800 пФ