STW55NM60ND / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Iс(25°C): 51 А; Rси(вкл): 60 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 190 нКл; Pрасс: 350 Вт
Корпус TO247 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 51 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 60 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 60 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 25 В, Заряд затвора 190 нКл, Рассеиваемая мощность 350 Вт, Примечание Fast diode , Ёмкость затвора 5 800 пФ
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса51 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)60 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min60 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max60 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора25 В
-
Заряд затвора190 нКл
-
Рассеиваемая мощность350 Вт
-
ПримечаниеFast diode
-
Ёмкость затвора5 800 пФ