STW62NM60N / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO247 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 65 А, Сопротивление открытого канала (мин) 49 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 48 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 48 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 25 В, Заряд затвора 174 нКл, Рассеиваемая мощность 450 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 600V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 , Ёмкость затвора 5 800 пФ
Характеристики
-
КорпусTO247
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса65 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)49 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min48 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max48 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора25 В
-
Заряд затвора174 нКл
-
Рассеиваемая мощность450 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 55A I(D), 600V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
-
Ёмкость затвора5 800 пФ