STX13003-AP / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 400 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 5 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность1.5 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное400 В
-
Ток коллектора1 А
-
Коэффициент усиления по току, min5
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92