TD310ID / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Драйверы FET-IGBT - [DIP-16]; Nнижн: 0; Nверхн: 1; Iout+: 600 мА; Iout-: 600 мА; Uизол: 2 кВ; Примечание: Designed to drive one, two or three
Power IGBT/MOS and has driving capability for
pulse transformer. Includes a current sense comparator and operational amplifier.; Траб: -40...125 °C
Корпус SOIC16 , Кол-во нижних каналов 0 , Кол-во верхних каналов 1 , Максимальный выходной ток нарастания 600 мА, Максимальный выходной ток спада 600 мА, Напряжение изоляции 2 кВ, Опции Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 0.6A, BICMOS, PDSO16 , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C, Примечание Designed to drive one, two or three Power IGBT/MOS and has driving capability for pulse transformer. Includes a current sense comparator and operational amplifier.
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOIC16
-
Кол-во нижних каналов0
-
Кол-во верхних каналов1
-
Максимальный выходной ток нарастания600 мА
-
Максимальный выходной ток спада600 мА
-
Напряжение изоляции2 кВ
-
ОпцииBuffer/Inverter Based MOSFET Driver, 0.6A, BICMOS, PDSO16
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура125 °C
-
ПримечаниеDesigned to drive one, two or three Power IGBT/MOS and has driving capability for pulse transformer. Includes a current sense comparator and operational amplifier.