Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

TIP112

TIP112 / ST Microelectronics

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус TO220 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 50 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 2.5 В, Ток коллектора 2 А, Коэффициент усиления по току, min 500 , Примечание Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Предлагаем замену

Для TIP112 JSCJ фотографии временно нет

TIP112 (JSCJ) 13,01

Описания и документация

t/tip112.pdf

TIP112.pdf

Характеристики

Корпус

TO220
Тип проводимости и конфигурация

NPN
Рассеиваемая мощность

50 Вт
Напряжение КЭ максимальное

100 В
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии

2.5 В
Ток коллектора

2 А
Коэффициент усиления по току, min

500
Примечание

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 11.09.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 11.09.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰