TIP120 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO220 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Комплементарная пара TIP125 , Рассеиваемая мощность 65 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 4 В, Ток коллектора 5 А, Коэффициент усиления по току, min 1000 , Коэффициент усиления по току, max 0 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 7 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 70 Ом, Примечание Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Комплементарная параTIP125
-
Рассеиваемая мощность65 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии4 В
-
Ток коллектора5 А
-
Коэффициент усиления по току, min1000
-
Коэффициент усиления по току, max0
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи7 кОм
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ70 Ом
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin