TIP47 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Bipolar Transistor
Transistor Polarity N Channel
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo 250V
DC Current Gain Min (hfe) 30
Package/Case TO-220
Collector Current 1A
Collector Current @ hfe 1µA
Leaded Process Compatible Yes
Корпус TO220 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 40 Вт, Напряжение КЭ максимальное 250 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1 В, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 10 МГц, Коэффициент усиления по току, min 10 , Коэффициент усиления по току, max 150 , Примечание Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность40 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное250 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1 В
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота10 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min10
-
Коэффициент усиления по току, max150
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin