TPI8011N / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Защитный диод - [S0-8]; Pрасс(пик): 0 Вт; Uраб: 48 В; Uогр(ном): 80 В; Uогр(диапазон): 70...80 В; Uимп(макс): 150 В; Iраб: 10 мкА
Корпус —, Количество линий ограничения 2 , Напряжение ограничения (диапазон), min 70 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 80 В, Примечание TRIPOLAR PROTECTION FOR ISDN INTERFACES , Ток утечки при рабочем напряжении 10 мкА, Пиковая рассеиваемая мощность 0 Вт, Тип супрессора по свойствам Симм , Напряжение ограничения (номинальное) 80 В, Паразитная емкость перехода 70 пФ, Максимальное импульсное напряжение 150 В, Максимальный импульсный ток 90 А, Рабочее напряжение 48 В
Характеристики
-
Корпус—
-
Количество линий ограничения2
-
Напряжение ограничения (диапазон), min70 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max80 В
-
ПримечаниеTRIPOLAR PROTECTION FOR ISDN INTERFACES
-
Ток утечки при рабочем напряжении10 мкА
-
Пиковая рассеиваемая мощность0 Вт
-
Тип супрессора по свойствамСимм
-
Напряжение ограничения (номинальное)80 В
-
Паразитная емкость перехода70 пФ
-
Максимальное импульсное напряжение150 В
-
Максимальный импульсный ток90 А
-
Рабочее напряжение48 В