C252012WB-4R7 / Sumida
Добавить к сравнению
Индуктивность номинальная 4.7 мкГн, Допуск по индуктивности ±20% , Ток рабочий 1.2 А, Ток насыщения 1.2 А, Корпус производителя SMD , Экранирование магнитное есть , Температура рабочая, min -30 °C, Температура рабочая, max 85 °C, Ток перегрева 900 мА
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 624000 шт | — |
1,58
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Индуктивность номинальная4.7 мкГн
-
Допуск по индуктивности±20%
-
Ток рабочий1.2 А
-
Ток насыщения1.2 А
-
Корпус производителяSMD
-
Экранирование магнитноеесть
-
Температура рабочая, min-30 °C
-
Температура рабочая, max85 °C
-
Ток перегрева900 мА