2N1304 / Texas Instruments
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Ток коллектора 300 мА, Граничная рабочая частота 5 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, NPN, Germanium, TO-5
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Ток коллектора300 мА
-
Граничная рабочая частота5 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, NPN, Germanium, TO-5