3N79 / Texas Instruments
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 12 В, Ток коллектора 20 мА, Граничная рабочая частота 30 МГц, Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-72
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное12 В
-
Ток коллектора20 мА
-
Граничная рабочая частота30 МГц
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-72