CSD16322Q5C / Texas Instruments
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N CH, 25V, 21A, 8SON
Корпус SON8 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 25 В, Ток стока номинальный при 25°C 97 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.6 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 7 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 5.8 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 3 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 8 В, Максимальное напряжение затвора 10 В, Заряд затвора 6.8 нКл, Рассеиваемая мощность 3.1 Вт, Примечание DualCool™ N-Channel NexFET™ Power MOSFET , Ёмкость затвора 1 365 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSON8
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток25 В
-
Ток стока номинальный при 25°C97 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)4.6 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min7 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max5.8 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min3 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max8 В
-
Максимальное напряжение затвора10 В
-
Заряд затвора6.8 нКл
-
Рассеиваемая мощность3.1 Вт
-
ПримечаниеDualCool™ N-Channel NexFET™ Power MOSFET
-
Ёмкость затвора1 365 пФ
