CSD17312Q5 / Texas Instruments
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N-CH, 30V, 100A, 8SON
Корпус TDFN8 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 38 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.4 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 2.4 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1.7 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 3 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 8 В, Максимальное напряжение затвора 10 В, Заряд затвора 28 нКл, Рассеиваемая мощность 3.2 Вт, Примечание 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET , Ёмкость затвора 5 240 пФ
Характеристики
-
КорпусTDFN8
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C38 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)1.4 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min2.4 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max1.7 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min3 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max8 В
-
Максимальное напряжение затвора10 В
-
Заряд затвора28 нКл
-
Рассеиваемая мощность3.2 Вт
-
Примечание30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
-
Ёмкость затвора5 240 пФ
