CSD17579Q5AT / Texas Instruments
Не поставляется
Добавить к сравнению
VSONP 8/30 V N-Channel NexFET Power MOSFET
Корпус TDFN8 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C 46 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11.6 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 9.7 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 13.3 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 5.4 нКл, Рассеиваемая мощность 3.1 Вт, Примечание CSD17579Q5A 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET , Ёмкость затвора 1 030 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTDFN8
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C46 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)11.6 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min9.7 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max13.3 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора5.4 нКл
-
Рассеиваемая мощность3.1 Вт
-
ПримечаниеCSD17579Q5A 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
-
Ёмкость затвора1 030 пФ