DRV425RTJT / Texas Instruments
Не поставляется
Одноосевой датчик магнитных полей позволяющий проводить измерения постоянного и переменного тока с высокой точностью без гальванического контакта с измеряемой цепью. Микросхема имеет встроенный магнитный сенсор (integrated fluxgate sensor - IFG) с внутренней компенсационной катушкой и представляет собой законченное решение.
• Высокоточный датчик магнитного поля Fluxgate:
- Смещение: ± 8 мкТ (макс.);
- Дрейф: ± 5 нТ/°C (тип.);
- Ошибка усиления: 0,04 % (тип.);
- Дрейф усиления: ± 7 ppm/° C (тип.);
- Линейность: ± 0,1%;
- Шум: 1,5 нТ/√ Гц (тип.);
• Диапазон измерений: ± 2 мТ (макс.):
- Диапазон и усиление регулируются с помощью внешнего
резистора;
• Выбираемая полоса пропускания: 47 кГц или 32 кГц
• Источник опорного напряжения:
- Точность: 2% (макс.), дрейф: 50 ppm/°C (макс.)
- Выбираемое напряжение: 2,5 В или 1,65 В
- Выбираемый ратиометрический режим: VDD/2
• Диагностические функции: флаги перегрузки и ошибки
• Диапазон напряжения питания: 3,0…5,5 В
Корпус WQFN20 , Тип датчика Индукционный датчик , Рабочая температура, min -40 °C, Рабочая температура, max 125 °C, Монтаж Поверхностный , Примечание Магниточувствительный датчик с инновационной технологией Fluxgate
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусWQFN20
-
Тип датчикаИндукционный датчик
-
Рабочая температура, min-40 °C
-
Рабочая температура, max125 °C
-
МонтажПоверхностный
-
ПримечаниеМагниточувствительный датчик с инновационной технологией Fluxgate