Характеристики

• Корпус
  SOIC8
• Диапазон допустимых напряжений смещения относительно общего провода, min
  -14 В
• Диапазон допустимых напряжений смещения относительно общего провода, max
  80 В
• Коэффициент усиления по напряжению, min
  1000 В/В
• Коэффициент усиления по напряжению, max
  1000 В/В
• Тип выходного сигнала
  потенциальный
• Максимальное смещение (+/-)
  70 мкВ
• Максимальный дрейф смещения
  1 мкВ/°C
• Минимальный коэффициент ослабления синфазного сигнала
  120 дБ
• Номинальная ширина полосы сигнала
  10 кГц
• Типовой ток собственного потребления
  600 мкА
• Диапазон питающих напряжений, min
  2.7 В
• Диапазон питающих напряжений, max
  18 В
• Рабочая температура
  -40 °C
• Рабочая температура
  125 °C
• Примечание
  Wide Common Mode Range, Bidirectional, High Accuracy Current Shunt Monitor