Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты
UCC21759QDWRQ1

UCC21759QDWRQ1 / Texas Instruments

Не поставляется

Добавить к сравнению

UCC21759-Q1 – это одноканальный изолированный драйвер затвора предназначенный для работы с SiC MOSFETs и IGBTs поддерживающими рабочее напряжение до 990 В пик. Устройство обладает передовыми функциями защиты, лучшими в своем классе динамическими характеристиками и высокой надежностью. Драйвер обеспечивает пиковый втекающий/вытекающий ток до 10 A, и включает в себя такие функции защиты, как быстрое обнаружение короткого замыкания, сообщения о неисправностях, активное подавление эффекта Миллера. Защита от снижения питающего напряжения ниже допустимого (UVLO) предусмотренная на первичной и вторичной сторонах оптимизирована для SiC-транзисторов и IGBT. Также имеется изолированный обратный канал c аналоговым входом AIN и ШИМ-выходом APWM, который может быть использован для контроля за температурой или напряжением. 
Особенности:

  • Одноканальный изолированный драйвер затвора;
  • Квалифицирован для автомобильных приложений: AEC-100;
  • Для SIC MOSFETs и IGBTs до 990 В пик.;
  • Максимальное выходное напряжение драйвера: 33 В (VDD-VEE);
  • Выходной ток: ± 10 А;
  • Устойчивость к синфазным переходным процессам (CMTI): 150 В/нс;
  • Время отклика защиты DESAT: 200 нс;
  • Активное подавление эффекта Миллера: 4 А;
  • Ток плавного выключения при неисправности: 400 мА;
  • Изолированный аналоговый датчик с ШИМ-выходом для:
    • контроля температуры с помощью NTC, PTC или диод;
    • контроля высокого напряжения DC-Link или фазового напряжения;
  • Сигнал перегрузки по току FLT;
  • Вход управления включением RST/EN с быстрым откликом;
  • Защита входов от импульсов короче 40 нс;
  • Сигнал на тревоги на выходе RDY при снижении напряжения VDD ниже 12 В;
  • Устойчивость входов/выходов переходным помехам ±5 В;
  • Максимальная задержка распространения: 130 нс;
  • Максимальное отклонение задержки распространения: 30 нс;
  • Корпус SOIC-16 DW с зазором более 8 мм;
  • Рабочая температура Tj: -40…+150 °C;
  • Сертификаты безопасности:
    • базовая изоляция 6000 В (DIN V VDE V0884-11: 2017-01);
    • изоляция 3 кВ СКЗ (1 мин, UL 1577)

Кол-во верхних каналов 1 , Максимальный выходной ток нарастания 10 А, Максимальный выходной ток спада 10 А, Напряжение изоляции 3 кВ, Опции Buffer or Inverter Based IGBT/MOSFET Driver, 10A, PDSO16 , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 150 °C, Примечание Buffer or Inverter Based IGBT/MOSFET Driver, 10A, PDSO16

Описания и документация

u/ucc21759_q1.pdf

Характеристики

  • Кол-во верхних каналов
    1
  • Максимальный выходной ток нарастания
    10 А
  • Максимальный выходной ток спада
    10 А
  • Напряжение изоляции
    3 кВ
  • Опции
    Buffer or Inverter Based IGBT/MOSFET Driver, 10A, PDSO16
  • Рабочая температура
    -40 °C
  • Рабочая температура
    150 °C
  • Примечание
    Buffer or Inverter Based IGBT/MOSFET Driver, 10A, PDSO16

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 21.09.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 21.09.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.