UCC5870QDWJRQ1 / Texas Instruments
Не поставляется
UCC5870-Q1 - это одноканальные гальванически изолированные драйверы затвора для карбидо-кремниевых МОП-транзисторов и IGBT.
Силовой транзистор имеет защиту от превышения тока на базе шунтового резистора, от перегрева на основе NTC-датчика и функцию защиты от короткого замыкания DESAT, включающую программируемое «мягкое» выключение или двушаговое выключение. Для предотвращения паразитного защелкивания транзистора при быстром переключении предусмотрена схема активного подавления эффекта Миллера с током до 4 А.
Встроенный 10-бит АЦП позволяет контролировать до шести аналоговых входов и температуру драйвера. Интегрированные функции диагностики и обнаружения неисправностей упрощают проектирование систем, совместимых с требованиями ASIL-D стандарта автомобильной безопасности ISO26262. Возможность настройки параметров и порогов с помощью интерфейса SPI, позволяет использовать это устройство практически с любыми SiC MOSFET или IGBT.
Технические параметры:
- Раздельное управление втекающим и вытекающим током: 15 А, макс. имп.;
- Оперативная регулировка тока управления драйвером;
- Блокировка и защита от сквозных токов;
- Поддержка функции активного короткого замыкания (ASC) на первичной и вторичной сторонах;
- Настраиваемая защита силового транзистора:
- защита от короткого замыкания с функцией DESAT;
- защита от перегрузки по току и короткого замыкания с внешним шунтовым резистором;
- защита от чрезмерной температуры на базе NTC-датчика;
- программируемое «мягкое» выключение (soft turnoff - STO) и двушаговое выключение (two-level turnoff - 2LTOFF) при неисправностях силового транзистора;
- Соответствие требованиям ASIL-D стандарта по функциональной безопасности дорожных транспортных средств ISO26262:
- встроенное самотестирование (BIST) компараторов повышенного и пониженного напряжения;
- мониторинг порогового напряжения силового транзистора;
- мониторинг тактовых импульсов встроенного генератора;
- выходы сигнализации неисправности (nFLT1) и предупреждения (nFLT2);
- Встроенная функция активного подавления эффекта Миллера или дополнительный выход для внешнего транзистора подавления эффекта Миллера;
- Защита от превышения напряжения на силовом транзисторе;
- Защита от превышения или снижения ниже допустимого внешних и внутренних питающих напряжений;
- Низкий активный уровень по умолчанию, при не подключенном входе или недостаточном напряжении питания;
- Измерение температуры кристалла и защита от перегрева;
- Устойчивость к синфазным переходным процессам (CMTI): 100 кВ/мкс при VСM 1000 В;
- Функции реконфигурации, верификации, наблюдения, диагностики по интерфейсу SPI;
- 10-битный АЦП для мониторинга температуры, напряжения и тока;
- Напряжение изоляции: 3750 В СКЗ (1 мин, UL1577)
Корпус —, Кол-во верхних каналов 1 , Максимальный выходной ток нарастания 15 А, Максимальный выходной ток спада 15 А, Напряжение изоляции 3.75 кВ, Опции Buffer or Inverter Based IGBT/MOSFET Driver, 15A , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C, Примечание Buffer or Inverter Based IGBT/MOSFET Driver, 15A
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Кол-во верхних каналов1
-
Максимальный выходной ток нарастания15 А
-
Максимальный выходной ток спада15 А
-
Напряжение изоляции3.75 кВ
-
ОпцииBuffer or Inverter Based IGBT/MOSFET Driver, 15A
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура125 °C
-
ПримечаниеBuffer or Inverter Based IGBT/MOSFET Driver, 15A