2SA1020 / Toshiba
Добавить к сравнению
Транзистор биполярный
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 900 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 70 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 шт | — |
147,78
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность900 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора2 А
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min70
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92