2SA1930 / Toshiba
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 180 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1 В, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 50 , Примечание Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 22 шт | — |
251,34
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное180 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1 В
-
Ток коллектора2 А
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min50
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 2A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin