2SC1815-Y / Toshiba
Добавить к сравнению
Транзистор биполярный
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 400 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 250 мВ, Ток коллектора 150 мА, Граничная рабочая частота 80 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 24 шт | — |
198,02
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность400 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии250 мВ
-
Ток коллектора150 мА
-
Граничная рабочая частота80 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92