2SC2235 / Toshiba
Добавить к сравнению
Транзистор биполярный
Корпус TO92MOD , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 900 мВт, Напряжение КЭ максимальное 120 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1 В, Ток коллектора 800 мА, Граничная рабочая частота 120 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 74 шт | — |
224,05
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO92MOD
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность900 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное120 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1 В
-
Ток коллектора800 мА
-
Граничная рабочая частота120 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min80
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92