2SC2482 / Toshiba
Добавить к сравнению
Транзистор биполярный
Корпус TO92MOD , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 900 мВт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 49 шт | — |
135,56
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO92MOD
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность900 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное300 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота50 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92