2SC2551 / Toshiba
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 400 мВт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 80 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 16 шт | — |
89,61
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность400 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное300 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота80 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92